1、全球集成電路熱處理設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模整體上升
根據(jù)觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國集成電路熱處理設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢研究與未來投資分析報(bào)告(2025-2032年)》顯示,集成電路熱處理設(shè)備是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝設(shè)備,主要用于晶圓的退火、氧化、擴(kuò)散、合金化等高溫處理環(huán)節(jié),直接影響芯片的電學(xué)性能和可靠性。近年來,先進(jìn)尖峰退火、激光/閃光毫秒退火在內(nèi)的快速熱處理技術(shù)越來越受到集成電路制造廠商的關(guān)注,其市場規(guī)模也整體上升趨勢。
根據(jù)數(shù)據(jù),2021年,全球熱處理設(shè)備市場規(guī)模26.42億美元,其中快速熱處理設(shè)備市場規(guī)模為12.13億美元,氧化/擴(kuò)散設(shè)備市場規(guī)模約8.83億美元,柵極堆疊(Gate Stack)設(shè)備市場規(guī)模為 5.46 億美元;2022年,全球快速熱處理設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)到13.85億美元。
數(shù)據(jù)來源:觀研天下整理
數(shù)據(jù)來源:觀研天下整理
集成電路熱處理設(shè)備
而中國占據(jù)著全球集成電路熱處理設(shè)備行業(yè)的25%,并且受益于晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)、國產(chǎn)替代需求、政策支持、存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)以及功率半導(dǎo)體崛起等因素影響將快速發(fā)展。
我國集成電路熱處理設(shè)備行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素分析
資料來源:觀研天下整理
3、晶圓廠商產(chǎn)能積極擴(kuò)產(chǎn),帶動(dòng)集成電路熱處理設(shè)備行業(yè)需求上升
在晶圓擴(kuò)產(chǎn)方面,近年來,國內(nèi)晶圓代工企業(yè)接連宣布投資建造或規(guī)劃建設(shè)新產(chǎn)線,以擴(kuò)大晶圓產(chǎn)能,從而帶動(dòng)了集成電路熱處理設(shè)備市場需求快速增長。例如,中芯國際(SMIC)的14nm FinFET技術(shù)已量產(chǎn),但受設(shè)備限制難以擴(kuò)產(chǎn);重點(diǎn)轉(zhuǎn)向28nm及以上成熟制程(占營收80%以上)。同時(shí),中芯國際(SMIC)與亦莊國投合作建設(shè)12英寸廠(28nm及以上制程),規(guī)劃月產(chǎn)能10萬片;在上海,臨港基地投資89億美元建12英寸廠,聚焦28nm及以上成熟制程,目標(biāo)月產(chǎn)能10萬片。
我國晶圓廠商產(chǎn)能規(guī)劃擴(kuò)張情況
企業(yè)名稱 |
產(chǎn)能擴(kuò)張 |
技術(shù)節(jié)點(diǎn) |
中芯國際(SMIC) |
北京:與亦莊國投合作建設(shè)12英寸廠(28nm及以上制程),規(guī)劃月產(chǎn)能10萬片。 |
技術(shù)節(jié)點(diǎn):14nmFinFET技術(shù)已量產(chǎn),但受設(shè)備限制難以擴(kuò)產(chǎn);重點(diǎn)轉(zhuǎn)向28nm及以上成熟制程(占營收80%以上)。 |
上海:臨港基地投資89億美元建12英寸廠,聚焦28nm及以上成熟制程,目標(biāo)月產(chǎn)能10萬片。 |
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深圳:與深圳政府合資建廠(28nm及以上),規(guī)劃月產(chǎn)能4萬片。 |
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天津:擴(kuò)建12英寸廠,新增10萬片/月產(chǎn)能(2023年啟動(dòng))。 |
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華虹半導(dǎo)體 |
無錫基地:一期12英寸廠(55nm-28nm特色工藝)已滿產(chǎn),月產(chǎn)能9.5萬片;二期投資67億美元擴(kuò)產(chǎn),2024年底投產(chǎn)后總產(chǎn)能將達(dá)20萬片/月。 |
技術(shù)方向:深耕嵌入式存儲(chǔ)、功率器件、MCU等特色工藝,避開先進(jìn)制程競爭。 |
粵芯半導(dǎo)體(廣州) |
三期規(guī)劃:一期(180-90nm模擬芯片)已投產(chǎn),月產(chǎn)能4萬片;二期(55nm-40nm)2023年量產(chǎn),三期(12英寸12nm)投資162億元,聚焦車規(guī)級芯片。 |
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積塔半導(dǎo)體(上海) |
臨港基地:擴(kuò)產(chǎn)車規(guī)級芯片(IGBT、SiC等),目標(biāo)月產(chǎn)能10萬片(12英寸)。 |
技術(shù)特色:專注功率半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體,適配新能源汽車需求。 |
長江存儲(chǔ)(YMTC) |
武漢基地:一期(3DNAND)月產(chǎn)能10萬片(128層/232層);二期原計(jì)劃擴(kuò)至30萬片/月,但因美國制裁推遲設(shè)備采購,產(chǎn)能爬坡放緩。 |
技術(shù)突破:全球首推Xtacking3.0架構(gòu)(232層NAND),但量產(chǎn)受限。 |
長鑫存儲(chǔ)(CXMT) |
合肥基地:一期(19nmDRAM)月產(chǎn)能12萬片(等效8英寸);二期規(guī)劃176層DRAM技術(shù),2024年產(chǎn)能提升至18萬片/月。 |
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士蘭微(SilanMicro) |
廈門基地:投資170億元建12英寸特色工藝產(chǎn)線(功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器),規(guī)劃月產(chǎn)能8萬片。 |
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華潤微電子(CRMicro) |
重慶基地:12英寸產(chǎn)線聚焦功率半導(dǎo)體(MOSFET、IGBT),2025年產(chǎn)能達(dá)3萬片/月;無錫基地:8英寸產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)至13萬片/月,主攻BCD工藝和MEMS。 |
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芯恩半導(dǎo)體(青島) |
產(chǎn)能規(guī)劃:8英寸廠月產(chǎn)能3萬片(模擬/射頻芯片),12英寸廠規(guī)劃5萬片/月(28nm及以上邏輯芯片)。 |
技術(shù)路線:中國首個(gè)CIDM(共享式IDM)模式,整合設(shè)計(jì)-制造-應(yīng)用。 |
資料來源:觀研天下整理
目前,我國晶圓代工主要形成了以上海為核心的長三角地區(qū)系、以北京為核心的環(huán)渤海地區(qū)以及以深圳為核心灣區(qū)。其中以上海為核心的長三角地區(qū)系是我國集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)最扎實(shí)、產(chǎn)業(yè)鏈布局最完整、技術(shù)積累最豐厚的區(qū)域,整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全國比約50%?;竞w各類原材料、半導(dǎo)體設(shè)備、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造與封裝測試,尤以芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造見長,擁有中芯國際、上海華虹、積塔半導(dǎo)體等國內(nèi)晶圓代工領(lǐng)軍企業(yè)。
資料來源:觀研天下整理
隨著集成電路性能不斷提高的要求,快速熱退火技術(shù)在晶圓加工/集成電路制造中的競爭優(yōu)勢越來越明顯:相比普通爐管退火設(shè)備幾小時(shí)的加熱時(shí)長,快速熱退火設(shè)備只需幾秒甚至幾毫秒便可使晶圓上升至所需溫度,總體熱預(yù)算較低,可以更好地提高晶圓的性能,滿足先進(jìn)集成電路制造的需求。(WYD)

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