1、全球集成電路熱處理設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模整體上升
根據(jù)觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國(guó)集成電路熱處理設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)研究與未來(lái)投資分析報(bào)告（2025-2032年）》顯示，集成電路熱處理設(shè)備是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝設(shè)備，主要用于晶圓的退火、氧化、擴(kuò)散、合金化等高溫處理環(huán)節(jié)，直接影響芯片的電學(xué)性能和可靠性。近年來(lái)，先進(jìn)尖峰退火、激光/閃光毫秒退火在內(nèi)的快速熱處理技術(shù)越來(lái)越受到集成電路制造廠商的關(guān)注，其市場(chǎng)規(guī)模也整體上升趨勢(shì)。
根據(jù)數(shù)據(jù)，2021年，全球熱處理設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模26.42億美元，其中快速熱處理設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為12.13億美元，氧化/擴(kuò)散設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約8.83億美元，柵極堆疊（Gate Stack）設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為 5.46 億美元；2022年，全球快速熱處理設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到13.85億美元。
數(shù)據(jù)來(lái)源：觀研天下整理
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集成電路熱處理設(shè)備
而中國(guó)占據(jù)著全球集成電路熱處理設(shè)備行業(yè)的25%，并且受益于晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)、國(guó)產(chǎn)替代需求、政策支持、存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)以及功率半導(dǎo)體崛起等因素影響將快速發(fā)展。
我國(guó)集成電路熱處理設(shè)備行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)因素分析
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3、晶圓廠商產(chǎn)能積極擴(kuò)產(chǎn)，帶動(dòng)集成電路熱處理設(shè)備行業(yè)需求上升
在晶圓擴(kuò)產(chǎn)方面，近年來(lái)，國(guó)內(nèi)晶圓代工企業(yè)接連宣布投資建造或規(guī)劃建設(shè)新產(chǎn)線，以擴(kuò)大晶圓產(chǎn)能，從而帶動(dòng)了集成電路熱處理設(shè)備市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)。例如，中芯國(guó)際（SMIC）的14nm FinFET技術(shù)已量產(chǎn)，但受設(shè)備限制難以擴(kuò)產(chǎn)；重點(diǎn)轉(zhuǎn)向28nm及以上成熟制程（占營(yíng)收80%以上）。同時(shí)，中芯國(guó)際（SMIC）與亦莊國(guó)投合作建設(shè)12英寸廠（28nm及以上制程），規(guī)劃月產(chǎn)能10萬(wàn)片；在上海，臨港基地投資89億美元建12英寸廠，聚焦28nm及以上成熟制程，目標(biāo)月產(chǎn)能10萬(wàn)片。
我國(guó)晶圓廠商產(chǎn)能規(guī)劃擴(kuò)張情況
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企業(yè)名稱(chēng) |
產(chǎn)能擴(kuò)張 |
技術(shù)節(jié)點(diǎn) |
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中芯國(guó)際（SMIC） |
北京：與亦莊國(guó)投合作建設(shè)12英寸廠（28nm及以上制程），規(guī)劃月產(chǎn)能10萬(wàn)片。 |
技術(shù)節(jié)點(diǎn)：14nmFinFET技術(shù)已量產(chǎn)，但受設(shè)備限制難以擴(kuò)產(chǎn)；重點(diǎn)轉(zhuǎn)向28nm及以上成熟制程（占營(yíng)收80%以上）。 |
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上海：臨港基地投資89億美元建12英寸廠，聚焦28nm及以上成熟制程，目標(biāo)月產(chǎn)能10萬(wàn)片。 |
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深圳：與深圳政府合資建廠（28nm及以上），規(guī)劃月產(chǎn)能4萬(wàn)片。 |
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天津：擴(kuò)建12英寸廠，新增10萬(wàn)片/月產(chǎn)能（2023年啟動(dòng)）。 |
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華虹半導(dǎo)體 |
無(wú)錫基地：一期12英寸廠（55nm-28nm特色工藝）已滿產(chǎn)，月產(chǎn)能9.5萬(wàn)片；二期投資67億美元擴(kuò)產(chǎn)，2024年底投產(chǎn)后總產(chǎn)能將達(dá)20萬(wàn)片/月。 |
技術(shù)方向：深耕嵌入式存儲(chǔ)、功率器件、MCU等特色工藝，避開(kāi)先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)。 |
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粵芯半導(dǎo)體（廣州） |
三期規(guī)劃：一期（180-90nm模擬芯片）已投產(chǎn)，月產(chǎn)能4萬(wàn)片；二期（55nm-40nm）2023年量產(chǎn)，三期（12英寸12nm）投資162億元，聚焦車(chē)規(guī)級(jí)芯片。 |
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積塔半導(dǎo)體（上海） |
臨港基地：擴(kuò)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)芯片（IGBT、SiC等），目標(biāo)月產(chǎn)能10萬(wàn)片（12英寸）。 |
技術(shù)特色：專(zhuān)注功率半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體，適配新能源汽車(chē)需求。 |
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC） |
武漢基地：一期（3DNAND）月產(chǎn)能10萬(wàn)片（128層/232層）；二期原計(jì)劃擴(kuò)至30萬(wàn)片/月，但因美國(guó)制裁推遲設(shè)備采購(gòu)，產(chǎn)能爬坡放緩。 |
技術(shù)突破：全球首推Xtacking3.0架構(gòu)（232層NAND），但量產(chǎn)受限。 |
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT） |
合肥基地：一期（19nmDRAM）月產(chǎn)能12萬(wàn)片（等效8英寸）；二期規(guī)劃176層DRAM技術(shù)，2024年產(chǎn)能提升至18萬(wàn)片/月。 |
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士蘭微（SilanMicro） |
廈門(mén)基地：投資170億元建12英寸特色工藝產(chǎn)線（功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器），規(guī)劃月產(chǎn)能8萬(wàn)片。 |
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華潤(rùn)微電子（CRMicro） |
重慶基地：12英寸產(chǎn)線聚焦功率半導(dǎo)體（MOSFET、IGBT），2025年產(chǎn)能達(dá)3萬(wàn)片/月；無(wú)錫基地：8英寸產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)至13萬(wàn)片/月，主攻BCD工藝和MEMS。 |
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芯恩半導(dǎo)體（青島） |
產(chǎn)能規(guī)劃：8英寸廠月產(chǎn)能3萬(wàn)片（模擬/射頻芯片），12英寸廠規(guī)劃5萬(wàn)片/月（28nm及以上邏輯芯片）。 |
技術(shù)路線：中國(guó)首個(gè)CIDM（共享式IDM）模式，整合設(shè)計(jì)-制造-應(yīng)用。 |
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目前，我國(guó)晶圓代工主要形成了以上海為核心的長(zhǎng)三角地區(qū)系、以北京為核心的環(huán)渤海地區(qū)以及以深圳為核心灣區(qū)。其中以上海為核心的長(zhǎng)三角地區(qū)系是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)最扎實(shí)、產(chǎn)業(yè)鏈布局最完整、技術(shù)積累最豐厚的區(qū)域，整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全國(guó)比約50%?；竞w各類(lèi)原材料、半導(dǎo)體設(shè)備、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造與封裝測(cè)試，尤以芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造見(jiàn)長(zhǎng)，擁有中芯國(guó)際、上海華虹、積塔半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)晶圓代工領(lǐng)軍企業(yè)。
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隨著集成電路性能不斷提高的要求，快速熱退火技術(shù)在晶圓加工/集成電路制造中的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)越來(lái)越明顯：相比普通爐管退火設(shè)備幾小時(shí)的加熱時(shí)長(zhǎng)，快速熱退火設(shè)備只需幾秒甚至幾毫秒便可使晶圓上升至所需溫度，總體熱預(yù)算較低，可以更好地提高晶圓的性能，滿足先進(jìn)集成電路制造的需求。（WYD）
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